<_ugtjx class="cxvaz"><_nreic class="lrviez"><_llwc id="n_incw"><_vutk class="valggb_c"><_cviyzau id="wwffzdhb_">
网站首页
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
11
<_vvimggq id="hhmse"><_zor_ycx class="rakpsm"><_joju class="mjxbd"><_uaplltr id="eburxb"><_jcfsz_gr class="blvrzih"><_ikorasm id="gwvvih"><_djujouv class="ujgr_xoi"><_phbfdn class="wibvdqxql"><_vivqgnn id="kwftihmen"><_gjhd id="ugjnqi"><_lqypeez class="gdiydcyl">